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标签: 三甲基铝

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  • ALD_PillarHall_LHAR3_微观矩形通道Al2O3薄膜厚度剖面数据V0001

    2026年1月13日 30 158 90

    数据集概述 本数据集记录了在PillarHall(TM) LHAR3-1b硅基横向高纵横比测试结构上，通过原子层沉积（ALD）技术使用三甲基铝（TMA）和水在300℃下经过500次循环生长的Al₂O₃薄膜的厚度剖面数据，用于分析薄膜在微观矩形通道内的沉积一致性。 文件详解 文件名称：ALD-thickness-profile V0001...
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