数据集概述
本数据集记录了在PillarHall(TM) LHAR3-1b硅基横向高纵横比测试结构上，通过原子层沉积（ALD）技术使用三甲基铝（TMA）和水在300℃下经过500次循环生长的Al₂O₃薄膜的厚度剖面数据，用于分析薄膜在微观矩形通道内的沉积一致性。
文件详解
- 文件名称：ALD-thickness-profile V0001 LHAR3-M08-F05-1B-500 Al2O3 300C 500cyc 0.1-4.0-0.1-4.0s.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：包含每个测量点的位置、拟合厚度、拟合优度等数据；水平轴原始零点为测量中心，需水平偏移至LHAR腔起始位置；部分含膜残留的测量点拟合效果差，需剔除。
数据来源
论文“Saturation profile based conformality analysis for atomic layer deposition: aluminum oxide in lateral high-aspect-ratio channels”
适用场景
- 原子层沉积薄膜共形性分析: 研究Al₂O₃薄膜在微观矩形通道内的厚度分布均匀性。
- 薄膜沉积工艺优化: 分析300℃、500次循环条件下ALD工艺对薄膜厚度的影响。
- 微观结构薄膜性能研究: 结合测试结构参数，探究高纵横比通道内薄膜沉积特性。
- 光学测量方法验证: 评估光谱反射法在薄膜厚度测量中的准确性与局限性。
