反应性HiPIMS制备超低电阻率氮掺杂p型Cu2O薄膜数据集及文章

数据集概述

本数据集为研究论文“Ultra-low-resistivity nitrogen-doped p-type Cu2O thin films fabricated by reactive HiPIMS”的配套资料，包含论文全文、数据集说明、元数据及实验相关文件，支持复现研究内容。

文件详解

• ReadMe.txt：TXT格式，说明数据集内容及与论文（DOI 10.1016/j.apsusc.2025.164380）的关联，提及包含图片及生成图片的数据
• Metadata.ods：ODS格式，存储数据集的元数据信息
• 2025_ZCU_FAV_Rezek_01.zip：ZIP格式压缩包，可能包含实验原始数据、图片等文件
• 1-s2.0-S0169433225020963-main.pdf：PDF格式，研究论文全文

适用场景

• 材料科学研究：分析氮掺杂对Cu2O薄膜电学性能的影响
• 薄膜制备技术研究：探究反应性HiPIMS工艺参数与薄膜电阻率的关系
• 半导体材料应用：为低电阻率p型Cu2O薄膜在光电器件中的应用提供数据支持
• 学术论文复现：辅助验证该研究的实验结果与结论