数据集概述
本数据集包含6T和8T FinFET SRAM架构采用电源门控技术的相关图表及底层数据，是2018年10月提交至IEEE期刊论文的配套材料，用于支撑低泄漏FinFET SRAM电路的研究，共包含8个文件。
文件详解
- 图表文件（共7个）
- 文件名称：AveActiveEDP-32x1024.bmp、SleepModeLeakageEDP-32x1024.bmp、Delay-R7NotPowerGated.bmp、SleepModeLeakage.bmp、Delay-PowerGatedR7.bmp、AveEDP-50active-50sleepmode-4MB.bmp、NoiseMargins.bmp
- 文件格式：BMP
- 字段映射介绍：包含平均有源能量延迟积、睡眠模式泄漏能量延迟积、延迟特性、噪声容限等电路性能相关的可视化图表
- 数据文件（共1个）
- 文件名称：FinFET_SRAM_Power_Gating.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：推测包含图表对应的底层原始数据，可能涵盖不同SRAM架构（6T/8T）、电源门控状态下的能量、延迟、泄漏等电路参数统计
数据来源
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 投稿论文“Effective Low Leakage 6T and 8T FinFET SRAMs: Using Cells with Reverse-Biased FinFETs, Near-Threshold Operation, and Power Gating”
适用场景
- 低功耗SRAM电路设计优化：分析电源门控技术对6T/8T FinFET SRAM泄漏功耗与能量效率的改善效果
- 半导体电路性能评估：基于延迟、噪声容限等数据，评估不同FinFET SRAM架构的工作稳定性与响应特性
- 电路参数对比研究：对比电源门控开启/关闭状态下SRAM的能量延迟积差异，支撑电路方案选型
- 学术研究数据支撑：为FinFET器件及低功耗电路相关的论文研究提供实验数据参考
