数据集概述
本数据集包含期刊文章《Radiation and Spontaneous Annealing of Radiation-sensitive Field-effect Transistors with Gate Oxide Thicknesses of 400 and 1000 nm》的原始数据，涉及400nm和1000nm栅氧化层厚度的辐射敏感场效应晶体管的辐射与自发退火实验数据，为相关研究提供基础数据支持。
文件详解
- 文档文件：
- SM2597.pdf：PDF格式，包含该研究的期刊文章全文
- 原始数据文件（.opj格式，共7个）：
- Fig 1.opj：对应文章中图1的原始数据
- Fig 2.opj：对应文章中图2的原始数据
- Fig 3.opj：对应文章中图3的原始数据
- Figs 4 and 5.opj：对应文章中图4和图5的原始数据
- Fig 6.opj：对应文章中图6的原始数据
- Fig 7a.opj：对应文章中图7a的原始数据
- Fig 7b.opj：对应文章中图7b的原始数据
数据来源
Sensors and Materials期刊（Vol. 33, No. 6, 2021）
适用场景
- 半导体器件辐射效应研究：分析不同栅氧化层厚度场效应晶体管的辐射响应特性
- 电子器件可靠性分析：探究辐射敏感晶体管的自发退火机制与性能恢复规律
- 辐射环境电子器件设计：为高辐射环境下的场效应晶体管优化设计提供数据参考
- 半导体材料辐射损伤研究：研究栅氧化层厚度对器件辐射敏感性的影响机制
