辐射敏感MOSFET在不同正栅极偏压下辐照的原始数据集

数据集概述

本数据集包含期刊论文《Radiation sensitive MOSFETs irradiated with various positive gate biases》的原始数据，涉及辐射敏感MOSFET在不同正栅极偏压下辐照的实验结果，为相关研究提供数据支持。

文件详解

• 文件名称：1-s2.0-S1687850722000371-main.pdf，文件格式：PDF，内容为研究论文全文。
• 文件名称：Fig1.opj、Fig2.opj、Fig3.opj、Fig4.opj、Fig6.opj、Fig7.opj、Fig8.opj等8个.opj文件，文件格式：OPJ，内容为论文中各图表对应的原始数据。

适用场景

• 半导体器件辐照效应研究：分析MOSFET在不同栅极偏压下的辐射响应特性。
• 辐射敏感电子元件性能测试：验证辐射环境对MOSFET性能的影响机制。
• 辐射物理实验数据复现：支持相关论文实验结果的重复验证与扩展研究。