数据集概述
本数据集包含Ga2O3（氧化镓）在Si（硅）衬底上制备的半导体材料的X射线衍射（XRD）和拉曼光谱（Raman）表征数据。数据来源于材料表征实验，包含原始测量数据和相应的分析文件，主要用于分析Ga2O3薄膜的晶体结构、物相组成和振动模式等材料特性。数据集共包含8个文件，涵盖多种数据格式。
文件详解
- XRD数据文件
- 文件名称：XRD_ORIGIN_2.docx, XRD_ORIGIN.docx, XRD_Ga2O3_SI.opj, XRD_Ga2O3_SI.xrdml
- 文件格式：DOCX, OPJ, XRDML
- 字段映射介绍：包含X射线衍射原始数据、分析结果和图表，涉及衍射角度、强度等参数
- Raman数据文件
- 文件名称：Raman_Ga2O3_SI_1_20_0_0.txt, Raman_Ga2O3_SI_1_20_0_1.txt, Ga2O3 Raman 532-R_ - Copy.opju, Raman_Ga2O3.xlsx
- 文件格式：TXT, OPJU, XLSX
- 字段映射介绍：包含拉曼光谱测量数据，如波数（cm⁻¹）与强度对应关系，以及相应的数据分析结果
适用场景
- 半导体材料表征分析：用于研究Ga2O3/Si异质结构的晶体质量、应力状态和界面特性
- 氧化物薄膜研究：分析Ga2O3薄膜的结晶性、物相组成和缺陷特性
- 材料光谱学研究：通过XRD和Raman光谱数据研究材料的晶格振动和结构特征
- 半导体器件工艺优化：为Ga2O3基半导体器件的制备工艺提供材料表征依据
- 新材料开发验证：支持新型氧化物半导体材料的性能评估和质量控制
