数据集概述
本数据集包含六方氮化硼（hBN）中缺陷的电子跃迁特性数据，涵盖三重态和单重态自旋构型的电子跃迁信息，记录了跃迁偶极矩、零声子线、寿命等关键参数，用于支持量子存储器相关研究。
文件详解
- 补充数据库文件
- 文件名称：supplementary_database.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：包含缺陷的特性参数，如跃迁偶极矩、零声子线、寿命、耦合常数、品质因子、带宽等
- 电子跃迁数据压缩包
- 文件名称：database_electronic_transition.zip
- 文件格式：ZIP
- 字段映射介绍：包含原始数据，涵盖三重态和单重态自旋构型的电子跃迁信息
数据来源
Cholsuk et al., Identifying electronic transitions of defects in hexagonal boron nitride for quantum memories
适用场景
- 量子存储器材料研究：分析六方氮化硼中缺陷的电子跃迁特性，评估其作为量子存储器的潜力
- 量子网络技术开发：基于缺陷特性数据优化量子存储器的存储时间、耦合效率等关键性能
- 密度泛函理论验证：支持对257种三重态和211种单重态电子跃迁的理论计算结果验证
- 量子传感应用研究：探索具有三重态-单重态自旋多重性的缺陷在光探测磁共振等量子传感领域的应用
- 量子器件设计：依据缺陷的品质因子、带宽等参数设计高写入效率（95%）的量子存储器件
