数据集概述
本数据集包含HgTe量子阱器件在不同温度、磁场和栅极电压条件下的电学测量数据，涵盖纵向电阻与霍尔电阻相关的电压或电阻率记录，共4个文件，用于分析该量子器件的电学特性。
文件详解
- ExpDataFig1d.xlsx（XLSX格式）：记录不同温度、栅极电压下的电压值（V）。第一行是温度（K），第一列是栅极电压（V），其余单元格为对应条件下的电压，电流固定为10^-7 A，电阻可通过公式R=V/I计算。
- ExpDataFig2.xlsx（XLSX格式）：记录不同磁场、栅极电压下的纵向与霍尔测量电压值（V）。第一行标注测量类型，第三行是栅极电压（V），第一列是磁场（T），其余单元格为对应电压，电流固定为10^-7 A，电阻可通过公式R=V/I计算。
- ExpDataFig3.xlsx（XLSX格式）：记录不同磁场、栅极电压下的霍尔效应电压值（V）。第一行是磁场（T），第一列是栅极电压（V），其余单元格为对应电压，电流固定为10^-7 A，霍尔电阻可通过公式R=V/I计算。
- ExpDataFig4.xlsx（XLSX格式）：记录B=0和B=0.2 T时不同栅极电压下的电阻率（Ohm）。第一列是栅极电压（V），第二列为B=0时的电阻率，第三列为B=0.2 T时的霍尔电阻率。
适用场景
- 量子器件电学特性研究：分析HgTe量子阱在温度、磁场、栅极电压调控下的纵向电阻与霍尔电阻变化规律。
- 霍尔效应参数分析：基于电压数据计算霍尔电阻，研究量子阱的霍尔效应特性。
- 量子阱输运性质探索：通过不同条件下的电阻率数据，探究HgTe量子阱的电荷输运机制。
- 多参数调控实验验证：验证温度、磁场、栅极电压对量子阱电学性能的调控效应，支持相关物理模型构建。
