III-VMOSFET栅电容建模数据集

III-VMOSFET栅电容建模数据集 数据来源：互联网公开数据 标签：III-V MOSFET,栅电容,InGaAs,双栅结构,回归模型,ANN,半导体器件 数据概述： 本数据集基于人工神经网络（ANN）的回归模型，包含了InGaAs沟道双栅MOSFET的栅电容数据。数据涵盖了不同条件下的栅电容特性，为研究III-V MOSFET的电容特性提供了详实的数据支持。数据集来源于研究论文《基于人工神经网络的InGaAs双栅MOSFET栅电容回归建模》（https://www.researchsquare.com/article/rs-1423867/latest.pdf），提供了模型训练所需的输入输出数据。 数据用途概述： 该数据集适用于半导体器件研究、MOSFET特性分析、人工神经网络模型验证等场景。研究人员可以利用此数据集进行回归建模，深入分析III-V MOSFET的栅电容特性；器件设计师可以参考数据优化MOSFET设计；教育机构可使用数据集进行教学，帮助学生理解半导体器件的电容建模方法。