Low_temperature_2D_GaN_Si_111_衬底低温生长实验数据集

数据集概述

本数据集为论文配套的原始实验数据，记录了在Si(111) 7×7衬底上通过超热氮离子辅助实现低温二维氮化镓（2D GaN）生长的实验过程数据，包含1个压缩文件，无目录层级结构。

文件详解

• 文件名称：Mach2022_2DGaNonSi.zip
• 文件格式：ZIP
• 字段映射介绍：压缩包内包含论文“Low temperature 2D GaN growth on Si(111) 7 x 7 assisted by hyperthermal nitrogen ions”的原始未处理实验数据，具体字段信息需解压后查看，目前无预览内容。

数据来源

论文“Low temperature 2D GaN growth on Si(111) 7 x 7 assisted by hyperthermal nitrogen ions”（RSC出版物，链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2022/NA/D2NA00175F）

适用场景

• 半导体材料生长研究: 分析超热氮离子辅助对Si(111)衬底上2D GaN低温生长过程的影响机制。
• 材料科学实验验证: 验证低温条件下二维氮化镓薄膜的生长可行性及结构特性。
• 半导体工艺优化: 为GaN基半导体器件的低温制备工艺提供实验数据支持。
• 离子辅助沉积技术研究: 探究超热离子辅助沉积技术在二维材料生长中的应用效果。