数据集概述
本数据集对应论文“Large-Scale Synthesis of Highly Uniform Silicon Nanowire Arrays Using Metal-Assisted Chemical Etching”，包含金属辅助化学刻蚀（MACE）合成硅纳米线阵列的实验数据，涉及刻蚀成功率、界面长度等关键指标，支持论文图表的数据分析与验证。
文件详解
- Description of the data.txt
- 文件格式：TXT
- 字段映射介绍：说明数据集对应论文图表的关联信息，包括Figure 3a的MACE成功率数据、Figure 5b和c的归一化界面长度数据等
- 1-MACE Sucess Rate.opju
- 文件格式：OPJU
- 字段映射介绍：存储MACE成功率相关的实验数据，对应论文图表的可视化文件
- 3-Normalized interface length graph Figu 5d.opju
- 文件格式：OPJU
- 字段映射介绍：存储归一化界面长度数据，对应论文Figure 5d的可视化文件
- 2-Influence of Pitch and normalized interace length graph Fig 5bc.opju
- 文件格式：OPJU
- 字段映射介绍：存储刻蚀间距与归一化界面长度关系数据，对应论文Figure 5b和c的可视化文件
- 1-MACE Success Rate-Data.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：存储MACE成功率的原始实验数据，可用于数据分析与验证
数据来源
论文“Large-Scale Synthesis of Highly Uniform Silicon Nanowire Arrays Using Metal-Assisted Chemical Etching”（发表于Chemistry of Materials）
适用场景
- 纳米材料合成研究：分析金属辅助化学刻蚀（MACE）工艺对硅纳米线阵列均匀性的影响
- 材料化学实验验证：验证MACE成功率与刻蚀速率、界面长度等参数的关系
- 学术论文数据复现：支持论文图表数据的复现与二次分析
- 纳米材料工艺优化：为硅纳米线阵列的大规模合成工艺优化提供数据参考
