MemriSim_氧化物忆阻器电子输运模拟理论框架

数据集概述

本数据集包含MemriSim理论框架的压缩文件，该框架用于模拟氧化物忆阻器的电阻开关行为，涵盖氧空位结构演化模拟及电子输运计算，支持不同氧化物层和金属电极的器件分析，为忆阻器设计与优化提供方法。

文件详解

• 压缩文件: MemriSim.zip
• 文件格式: ZIP（.zip）
• 内容说明: 包含MemriSim理论框架的相关文件，该框架用于模拟氧化物忆阻器的电子输运及电阻开关行为，支持HfO₂、TaOx等材料的电流-电压曲线及脉冲瞬态电流模拟。

适用场景

• 材料科学研究: 分析氧化物忆阻器中氧空位结构演化与电阻开关的基础机制
• 电子器件设计: 优化忆阻器的氧化物层与金属电极参数，提升器件性能
• 非易失性存储技术: 支持忆阻器基非易失性存储器的架构设计与模拟验证
• 神经形态计算研究: 为忆阻器在类脑计算系统中的应用提供理论模拟工具