数据集概述
本数据集来自内在磁性拓扑绝缘体Mn(Bi1-xSbx)2Te4的朗道量子化研究，包含16个文件，主要记录该材料在强磁场下的量子化状态分析数据，涉及电阻、霍尔量化平台等实验结果，支持研究层依赖陈数、表面与体自旋极化朗道能级谱等物理特性。
文件详解
- 文档文件
- 文件名称：README_Dataset_MnBiSb2Te4_v1.md
- 文件格式：MD
- 字段映射介绍：包含数据集标题、方法学信息（数据收集/生成方法参考手稿）、数据及文件结构描述，以示例形式说明特定文件（如Fig.1c.xlsx）的内容（如电荷中性点电阻率随薄片厚度的变化数据）
- 数据文件
- 文件名称：Fig.3g.xlsx、Fig.3h.xlsx、Fig.2b.xlsx、Fig.1d.xlsx、Fig.2d.xlsx、Fig.3c-d.xlsx、Fig.2a.xlsx、Fig.2f.xlsx等15个文件
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：存储对应论文图表的实验数据，涵盖Mn(Bi1-xSbx)2Te4材料在不同条件下的量子化状态相关测量值（如电阻、霍尔效应数据等）
数据来源
论文“Anomalous Landau quantization in intrinsic magnetic topological insulators”
适用场景
- 拓扑绝缘体磁学特性研究: 分析Mn(Bi1-xSbx)2Te4作为内在磁性拓扑绝缘体的Weyl半金属状态及层依赖陈数特性
- 强磁场下朗道量子化分析: 研究材料在强磁场下的霍尔量化平台、表面与体自旋极化朗道能级谱
- 材料掺杂效应探究: 分析Sb掺杂对Mn(Bi1-xSbx)2Te4拓扑绝缘特性的调控作用
- 实验数据与理论模型验证: 支持对磁性拓扑绝缘体薄膜中量子化状态的理论计算与实验结果对比验证
