MOSFET特性仿真数据与神经网络建模数据集-subirmaity

MOSFET特性仿真数据与神经网络建模数据集-subirmaity

数据来源:互联网公开数据

标签:MOSFET, I-V特性, 神经网络, Verilog-A, 电路仿真, 半导体器件, 建模, Cadence Spectre

数据概述: 本数据集包含长沟道MOSFET的 I-V 特性数据,这些数据由电路仿真器生成。 数据集被划分为训练集(包含测试集)和验证集。 训练集用于构建和训练一个简单的神经网络(ANN)模型,而验证集用于评估训练后模型的准确性。 数据集中包含了 MOSFET 的栅极电压 (Vg)、漏极电压 (Vd) 和漏极电流 (Id) 信息。

数据用途概述: 该数据集主要用于以下几个方面: 1. 神经网络建模实践: 为学习和实践基于神经网络的半导体器件建模提供数据基础。 2. 模型验证与评估: 用于验证和评估神经网络模型的预测精度,比较实际值与预测值。 3. Verilog-A 模型开发与测试: 数据可用于将训练好的 ANN 模型转化为 Verilog-A 代码,并在 Cadence Spectre 平台中进行仿真测试,以验证模型在电路仿真中的兼容性和性能。 4. 半导体器件研究: 为研究人员提供数据,用于探索新型半导体器件的建模方法。

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版本 1.0
最后更新 四月 22, 2025, 12:05 (UTC)
创建于 四月 22, 2025, 12:05 (UTC)
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