MOSFET特性仿真数据与神经网络建模数据集-subirmaity
数据来源：互联网公开数据
标签：MOSFET, I-V特性, 神经网络, Verilog-A, 电路仿真, 半导体器件, 建模, Cadence Spectre
数据概述：
本数据集包含长沟道MOSFET的 I-V 特性数据，这些数据由电路仿真器生成。 数据集被划分为训练集（包含测试集）和验证集。 训练集用于构建和训练一个简单的神经网络（ANN）模型，而验证集用于评估训练后模型的准确性。 数据集中包含了 MOSFET 的栅极电压 (Vg)、漏极电压 (Vd) 和漏极电流 (Id) 信息。
数据用途概述：
该数据集主要用于以下几个方面：
1. 神经网络建模实践： 为学习和实践基于神经网络的半导体器件建模提供数据基础。
2. 模型验证与评估： 用于验证和评估神经网络模型的预测精度，比较实际值与预测值。
3. Verilog-A 模型开发与测试： 数据可用于将训练好的 ANN 模型转化为 Verilog-A 代码，并在 Cadence Spectre 平台中进行仿真测试，以验证模型在电路仿真中的兼容性和性能。
4. 半导体器件研究： 为研究人员提供数据，用于探索新型半导体器件的建模方法。
