"英文标题：Global IC Design Standard Process Library Parameter Dataset
数据集概述
全球集成电路设计标准工艺库特征参数数据集记录全球范围内主流工艺节点下标准单元的电特性、时序特性及物理特性参数。覆盖CMOS等主流工艺体系，包含不同晶圆代工厂的标准工艺库规格。数据按工艺节点、库类型、单元功能分层组织，覆盖从成熟工艺到先进工艺的多代节点范围，支持跨工艺、跨厂商的参数对比与设计适配。
该数据集遵循半导体行业工艺库数据交换标准格式，字段定义符合国际电子工程设计自动化（EDA）领域规范。工艺库是集成电路前端设计到后端实现的核心桥梁，其参数精度直接影响芯片性能、功耗及面积指标，支撑设计流程中的时序分析、功耗优化、物理布局等关键环节。
字段详情
数据集包含以下核心字段：
tech_node_nm：工艺节点，单位纳米（nm），指集成电路制造的最小特征尺寸lib_cell_function：标准单元功能，标识逻辑门类型（如反相器、与非门等）或寄存器类型timing_slew_ns：时序转换速率，单位纳秒（ns），指信号电平从低到高或高到低的过渡时间power_leakage_uw：漏极泄漏功耗，单位微瓦（μW），指单元在静态工作模式下的功耗area_um2：单元面积，单位平方微米（μm²），指标准单元在芯片布局中的物理占用面积operating_voltage_v：工作电压，单位伏特（V），指单元正常工作的电源电压范围
适用场景
- 集成电路设计企业在工艺选型阶段对比不同厂商工艺库的性能与成本
- EDA工具供应商验证时序分析、功耗优化算法的准确性和兼容性
- 半导体行业研究机构分析工艺节点演进对单元特性的影响规律
- 晶圆代工厂优化标准工艺库参数，提升工艺竞争力
- 高校微电子专业开展集成电路物理设计课程的教学与实验"
