数据集概述
本数据集包含期刊论文《商业浮栅MOS晶体管剂量学应用充电过程》的原始数据，涵盖与论文图表相关的实验数据文件及论文全文，为复现研究结果提供数据支持。
文件详解
- 论文全文文件：1-s2.0-S0026271421002882-main.pdf，格式为PDF，包含研究的完整内容与图表
- 图表原始数据压缩包：共10个ZIP格式文件，如Figure3.zip、Figure4.zip等，每个压缩包对应论文中的一个图表（如Figure3、Figure4），内部包含Veusz程序输出PDF、.vsz数据文件及关联的.txt原始数据文件
数据来源
Microelectronics Reliability期刊论文（DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114322）
适用场景
- 半导体器件剂量学特性研究：分析浮栅MOS晶体管在剂量学应用中的充电过程
- 实验数据复现：验证论文中关于晶体管充电过程的实验结果
- 辐射检测技术开发：为基于浮栅MOS晶体管的辐射剂量检测设备研发提供数据参考
- 微电子可靠性分析：探究商业晶体管在特定应用场景下的性能稳定性
