数据集概述
本数据集包含研究“Landau平带在v=7/11处的拓扑保护（非常规关联的候选填充因子）”中生成和分析的全部数据，记录了不同温度下朗道能级填充因子相关的纵向磁电阻、霍尔电阻及能隙计算结果，共4个文件。
文件详解
- 文件名称：Fig1.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：记录7.6 mK温度下最低朗道能级区域的纵向磁电阻（Rxx）和霍尔电阻随外加磁场B的变化数据，包含v=7/11等关键填充因子标记
- 文件名称：fig2.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：记录5.90 T至6.95 T磁场范围内、4个选定温度下的磁电阻和霍尔电阻数据，包含v=7/11、8/13等填充因子处的Rxx局部最小值信息
- 文件名称：fig3.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：记录用于计算能隙的阿伦尼乌斯图数据，包含低温区线性拟合结果及21 mK的能隙提取值
- 文件名称：Fig4.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：记录4个选定朗道能级填充因子下磁电阻的温度依赖性数据，包含v=7/11与其他填充因子的Rxx温度变化趋势对比
数据来源
论文“Topological Protection in a Landau Flat Band at ν = 7/11, a Candidate Filling Factor for Unconventional Correlations”
适用场景
- 拓扑量子态研究：分析v=7/11处朗道平带的拓扑保护特性及非常规关联现象
- 分数量子霍尔效应实验验证：验证v=7/11处的不可压缩态及能隙大小
- 温度依赖性磁输运分析：研究不同填充因子下磁电阻的温度变化规律
- 能隙计算与分析：通过阿伦尼乌斯图提取和验证v=7/11处的能隙值
