应变与非突变III_V族量子阱界面模拟数据集_第一部分_能带轮廓计算

数据集概述

本数据集围绕应变与非突变III-V族量子阱界面模拟展开，核心为BANDSTRAIN程序，基于Van de Walle-Martin模型固体理论，可计算特定四元外延应变生长结构的关键物理量，包含能带轮廓计算相关内容。

文件详解

• 目录：Interface simulation of strained and non-abrupt III–V quantum wells. Part 1 band profile calculation/
• 文件名称：adcm_v1_0.gz
• 文件格式：GZ压缩包（.gz）
• 内容说明：未提供文件内具体字段映射信息，推测包含BANDSTRAIN程序代码及相关计算数据，用于III-V族量子阱应变界面的能带轮廓模拟计算

数据来源

CPC Program Library（Queen's University Belfast）、Mendeley Data

适用场景

• III-V族半导体材料能带结构研究
• 应变量子阱界面物理特性分析
• 半导体外延生长工艺相关理论模拟
• 量子阱器件设计中的能带轮廓计算辅助