忆阻器行为数据集

数据集概述

该数据集聚焦忆阻器行为研究，核心内容为Al–ZnO(15 min)/ZnO(100 min)/ITO/glass样品（ZA1）在不同频率电压扫描下的I-V特性随时间变化数据，以图像形式呈现。

文件详解

• 文件名称：Figure4.tif
• 文件格式：TIFF
• 内容说明：展示ZA1样品在6种频率（20Hz、10Hz、5Hz、2.5Hz、1.4Hz、1Hz）下，经正向（0V–2V–0V）×5和反向（0V–(-2)V–0V）×5电压扫描后的I-V特性曲线；红色线代表电压扫描，蓝色线代表测量电流

适用场景

• 忆阻器材料性能研究：分析不同频率电压下忆阻器的电流-电压响应规律
• 忆阻器器件设计：为忆阻器器件的频率参数优化提供实验数据支持
• 纳米电子学研究：探索氧化锌基忆阻器的电学行为机制
• 存储技术研发：辅助非易失性存储器件的性能评估与改进