半导体器件仿真数据电压与电势关系数据集SemiconductorDeviceSimulationDataVoltageandPotentialDataset-saankhya1997
数据来源：互联网公开数据
标签：半导体, 仿真数据, 电压, 电势, 物理建模, 数据分析, 机器学习, 科学研究
数据概述：
该数据集包含来自半导体器件仿真的数据，记录了不同电压(Vgs)条件下，半导体器件的电势(psi)变化情况。主要特征如下：
时间跨度：数据未明确时间戳，可视为特定仿真条件下的静态数据。
地理范围：数据来源于半导体器件仿真，不涉及具体地理位置。
数据维度：数据集包含三个关键字段：y（可能代表仿真中的某个时间或参数维度），Vgs（栅极电压），psi（电势）。
数据格式：CSV格式，文件名为data_kfold.csv，便于数值分析和模型构建。数据以结构化形式组织，易于处理。
来源信息：数据来源于saankhya1997-kfold40k项目，可能是一个开源的科学计算或研究项目。
该数据集适合用于半导体物理、器件模拟、以及相关领域的数值分析和机器学习建模。
数据用途概述：
该数据集具有广泛的应用潜力，特别适用于以下场景：
研究与分析：适用于半导体器件物理、电子工程等领域的学术研究，例如，研究电压对半导体器件电势分布的影响，探索器件性能与工作条件之间的关系。
行业应用：可以为半导体器件设计、仿真和优化提供数据支持，尤其是在器件性能预测、工艺优化等方面。
决策支持：支持半导体器件设计工程师进行器件参数选择和性能评估，优化器件设计方案。
教育和培训：作为电子工程、半导体物理等课程的辅助材料，帮助学生和研究人员深入理解半导体器件的工作原理。
此数据集特别适合用于探索半导体器件内部电势与施加电压之间的定量关系，并可以用于构建预测模型，从而优化器件设计和性能。
