数据集概述
本数据集包含硅锗（SiGe）合金单层掺杂（MLD）实验的相关数据，涉及不同锗浓度（18%、30%、60%）外延薄膜的磷掺杂研究，涵盖原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、二次离子质谱（SIMS）等实验结果文件，为分析掺杂与应变弛豫平衡关系提供支撑。
文件详解
该数据集包含27个文件，具体说明如下：
- 原子力显微镜（AFM）数据文件：
- 文本文件（.txt格式）：如AFM_18_postmld.txt、AFM_30_postmld.txt等，记录AFM测量的表面形貌参数（如表面面积、Z轴范围、表面面积差异百分比等）
- 图像文件（.bmp格式）：如AFM_30_1050anneal.bmp、AFM_18_asreceived.bmp等，存储AFM观测的表面图像
- 透射电子显微镜（TEM）图像文件：
- 图像文件（.jpg格式）：如TEM_As rec 30_2.jpg、SiGe_NK_0016.jpg等，展示SiGe薄膜的微观结构图像
- 实验数据汇总文件：
- P-MLD SiGe SIMS paper.xlsx：Excel格式文件，可能包含二次离子质谱（SIMS）测量的掺杂剂浓度分布数据
适用场景
- 半导体材料研究：分析SiGe合金中磷掺杂效率与锗浓度的关系
- 材料表征分析：探究退火温度对SiGe薄膜应变弛豫及缺陷形成的影响
- 表面化学研究：对比SiGe薄膜体相和表面化学计量比差异对掺杂反应的影响
- 微电子工艺优化：为SiGe基器件的单层掺杂工艺参数调整提供实验数据支持
