数据4H_SiC_0001_晶圆脉冲193nm准分子激光加工与辐射曝光相关原位反射率研究数据集

数据集概述

本数据集为会议论文，内容围绕4H-SiC(0001)晶圆的脉冲193nm准分子激光加工展开，通过辐射曝光相关的原位反射率研究，为工艺优化提供数据支持。

文件详解

• 文件名称: Krishna-1.pdf
• 文件格式: PDF (.pdf)
• 文件内容: 包含4H-SiC(0001)晶圆脉冲193nm准分子激光加工实验及辐射曝光与原位反射率关系的研究内容，可能涉及实验方法、数据结果及工艺优化分析。

适用场景

• 半导体材料加工研究: 分析脉冲准分子激光对4H-SiC晶圆的加工效果及工艺参数优化方向。
• 激光加工工艺优化: 探究辐射曝光与原位反射率的关联，为激光加工工艺参数调整提供参考。
• 材料科学实验设计: 为类似半导体材料激光加工实验的设计与数据采集提供方法借鉴。
• 工业制造技术研发: 辅助半导体制造领域激光加工工艺的效率提升与质量控制研究。