CFD_GaN_MOCVD行星式薄膜沉积速率优化研究数据

数据集概述

本数据集围绕行星式GaN-MOCVD薄膜沉积速率优化展开，基于CFD模拟与响应面模型研究，通过优化七片6英寸晶圆行星式结构不同基板转速，分析转速对薄膜生长速率与均匀性的影响，提出工业应用的转速匹配优化方案，为半导体薄膜制备提供参考。

文件详解

• 文件名称：s-1.docx
• 文件格式：DOCX
• 字段映射介绍：包含GaN-MOCVD薄膜沉积速率优化研究的核心内容，涉及行星式结构转速优化方法、CFD模拟结果、单因素分析数据、响应面模型构建及遗传算法优化方案等关键信息。

适用场景

• 半导体薄膜沉积工艺优化: 用于分析行星式GaN-MOCVD设备不同基板转速对薄膜生长速率与均匀性的影响，优化工业生产参数。
• CFD模拟在半导体制造中的应用: 基于计算流体动力学模拟数据，研究低压瞬态下薄膜沉积的流场特性。
• 响应面模型与遗传算法应用: 利用响应面模型与遗传算法结合的数据，探索多变量优化在薄膜质量提升中的实践。
• 半导体设备性能评估: 以薄膜均匀性为指标，评估GaN-MOCVD设备性能及芯片工艺优化方向。