GaN_Dislocations_1_EBSD半导体材料表征示例数据

数据集概述

本数据集为GaN样品的EBSD（电子背散射衍射）示例数据，由Naresh Gunasekar测量、Aimo Winkelmann完成数据转换。数据以压缩包形式存储，包含1个文件，无目录层级划分，未区分训练/测试、数据/标签或原始/处理数据类型。

文件详解

• 文件名称：GaN_Dislocations_1.zip
• 文件格式：ZIP
• 字段映射介绍：压缩包内包含GaN样品的EBSD示例数据，具体字段信息需解压后查看原始数据内容，当前无README或内容预览提供进一步细节。

适用场景

• 半导体材料表征研究: 用于分析GaN样品的晶体结构、取向及位错相关特征。
• EBSD数据处理方法验证: 可作为示例数据测试EBSD数据转换、分析工具的性能。
• 材料科学教学案例: 辅助讲解EBSD技术在氮化物半导体材料研究中的应用。
• 晶体缺陷分析: 支持GaN材料中位错分布与材料性能关联性的探索。